适用于栅极驱动器的高隔离度DC / DC转换器
通常需要DC / DC转换器为高端栅极驱动器提供隔离的不对称电源。最简单的（功能性）隔离可以承受1kVDC的电压一秒钟。这听起来令人印象深刻。但是，这通常是不够的。
高端逆变器通常采用光电隔离的PWM控制浮置几百伏，因此栅极驱动器需要隔离的电源。对于IGBT，该隔离电源通常为+ 15 / -9V，对于SiC为+ 20 / -5V或+ 15 / -3V，对于GaN为+ 6V和+ 9V。典型的DC / DC隔离电压至少是工作电压的两倍，但是这些高功率晶体管产生的高环境温度和快速开关沿也给绝缘势垒施加了压力。 RECOM将所需的不对称输出电压，高绝缘电压和低隔离电容组合到一个简单的DC / DC转换器模块中。无论是IGBT，SiC MOSFET还是GaN HEMT，RECOM都具有匹配的嵌入式产品。
用于SiC栅极驱动器的高隔离2W DC / DC转换器
Recom的2W（RKZ和RxxP2xx系列）SiC栅极驱动器DC / DC转换器可提供高达6.4kVDC / 1秒的隔离。它们专门设计用于为需要+ 20 / -5V或+ 15 / -3V驱动电平的SiC MOSFET的栅极驱动器供电。
| 项目 | 标称输入电压（V） | 输出电压（V） | 输出功率（W） | 隔离电压（kV） |
|---|---|---|---|---|
| R05P22005D/P | 5 | 20/-5 | 2 | 6.4 |
| R12P21503D | 12 | 15/-3 | 2 | 6.4 |
| R12P22005D | 12 | 20/-5 | 2 | 6.4 |
| R12P22005D/P | 12 | 20/-5 | 2 | 6.4 |
| R15P21503D | 15 | 15/-3 | 2 | 6.4 |
| R15P22005D | 15 | 20/-5 | 2 | 6.4 |
| R15P22005D/P | 15 | 20/-5 | 2 | 6.4 |
| R24P21503D | 24 | 15/-3 | 2 | 6.4 |
| R24P21503D/P | 24 | 15/-3 | 2 | 6.4 |
| R24P22005D | 24 | 20/-5 | 2 | 6.4 |
| R24P22005D/P | 24 | 20/-5 | 2 | 6.4 |
| RKZ-052005D | 5 | 20/-5 | 2 | 3 |
| RKZ-052005D/H | 5 | 20/-5 | 2 | 4 |
| RKZ-052005D/HP | 5 | 20/-5 | 2 | 4 |
| RKZ-052005D/P | 5 | 20/-5 | 2 | 3 |
| RKZ-122005D | 12 | 20/-5 | 2 | 3 |
| RKZ-122005D/H | 12 | 20/-5 | 2 | 4 |
| RKZ-122005D/HP | 12 | 20/-5 | 2 | 4 |
| RKZ-122005D/P | 12 | 20/-5 | 2 | 3 |
| RKZ-152005D | 15 | 20/-5 | 2 | 3 |
| RKZ-152005D/H | 15 | 20/-5 | 2 | 4 |
| RKZ-152005D/HP | 15 | 20/-5 | 2 | 4 |
| RKZ-152005D/P | 15 | 20/-5 | 2 | 3 |
| RKZ-242005D | 24 | 20/-5 | 2 | 3 |
| RKZ-242005D/H | 24 | 20/-5 | 2 | 4 |
| RKZ-242005D/HP | 24 | 20/-5 | 2 | 4 |
| RKZ-242005D/P | 24 | 20/-5 | 2 | 3 |
GaN技术的DC / DC电源
GaN器件将取代许多应用中的现有SiC MOSFET，并通过RP-xx06S和RxxP06S DC / DC转换器系列的+ 6V栅极开关电压达到其最佳性能。在必须考虑更高噪声和干扰的GaN应用中，RECOM还提供具有+ 9V输出的转换器，该转换器可通过齐纳二极管分压至+ 6V和-3V，以在关断时提供负栅极电压，从而确保栅极电压保持在开启阈值以下。
