业界最低的导通损耗和开关损耗，可实现更小，更轻和高效的电源转换产品设计
Wolfspeed第三代650V MOSFET技术进行了优化，以适应高性能电力电子应用的需求，包括服务器电源，电动汽车充电系统，储能系统，UPS，太阳能（PV）逆变器和消费类电子产品。
主要特征:
- 低导通电阻
- 低寄生电容
- 具有超低反向恢复的快速二极管
高温工作运行 (TJ = 175 °C)
- 开尔文源极引脚 (Kelvin source pin)
- 工业标准通孔和SMT封装
主要优点：
- 通过降低开关和导通损耗，提高系统效率
- 实现高开关频率操作
- 提高系统级功率密度
- 减少系统尺寸，重量和冷却要求
- 启用新的硬开关拓扑（图腾柱PFC）
| 产品 | 阻塞电压 (V) | RDS(on)(mΩ) | (ID) @ 25°C (A) | 封装 | 样片 |
|---|---|---|---|---|---|
| C3M0015065K | 650 | 15 mΩ | 120 | TO-247-4 | 索取样片 |
| C3M0015065D | 650 | 15 mΩ | 120 | TO-247-3 | 索取样片 |
| C3M0025065D | 650 | 25 mΩ | 97 | TO-247-3 | 索取样片 |
| C3M0025065K | 650 | 25 mΩ | 97 | TO-247-4 | 索取样片 |
| C3M0045065K | 650 | 45 mΩ | 49 | TO-247-4 | 索取样片 |
| C3M0060065K | 650 | 60 mΩ | 37 | TO-247-4 | 索取样片 |
| C3M0060065D | 650 | 60 mΩ | 37 | TO-247-3 | 索取样片 |
| C3M0060065J | 650 | 60 mΩ | 37 | TO-263-7 | 索取样片 |
| C3M0120065D | 650 | 120 mΩ | 22 | TO-247-3 | 索取样片 |
| C3M0120065K | 650 | 120 mΩ | 22 | TO-247-4 | 索取样片 |
| C3M0120065J | 650 | 120 mΩ | 21 | TO-263-7 | 索取样片 |
| E3M0060065K – AEC-Q101 | 650 | 60 mΩ | 37 | TO-247-4 | 索取样片 |
| E3M0060065D – AEC-Q101 | 650 | 60 mΩ | 37 | TO-247-3 | 索取样片 |
