业界最低的导通损耗和开关损耗,可实现更小,更轻和高效的电源转换产品设计

Wolfspeed第三代650V MOSFET技术进行了优化,以适应高性能电力电子应用的需求,包括服务器电源,电动汽车充电系统,储能系统,UPS,太阳能(PV)逆变器和消费类电子产品。

主要特征:

  • 低导通电阻
  • 低寄生电容
  • 具有超低反向恢复的快速二极管
  • 高温工作运行 (TJ = 175 °C)

  • 开尔文源极引脚 (Kelvin source pin)
  • 工业标准通孔和SMT封装

主要优点:

  • 通过降低开关和导通损耗,提高系统效率
  • 实现高开关频率操作
  • 提高系统级功率密度
  • 减少系统尺寸,重量和冷却要求
  • 启用新的硬开关拓扑(图腾柱PFC)
Part Number Blocking Voltage (V) RDS(on)(mΩ) (ID) @ 25°C (A) Package
C3M0015065K 650 15 mΩ 120 TO-247-4
C3M0015065D 650 15 mΩ 120 TO-247-3
C3M0060065K 650 60 mΩ 37 TO-247-4
C3M0060065D 650 60 mΩ 37 TO-247-3
C3M0060065J 650 60 mΩ 37 TO-263-7

Wolfspeed 650V MOSFET:
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