具有SiC MOSFET的2.2 kW高效(80+钛)无桥图腾柱PFC

CRD-02AD065N

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  • 基于Cree最新的(C3M™)650 V 60mΩSiC MOSFET, 提供高效、低成本2.2 kW无桥图腾柱PFC拓扑参考设计解决方案
  • 在所有负载条件下,效率均> 98.5%,THD <4%,可轻松达到钛标准.

  • 创新的基于电阻的电流检测解决方案
  • 在所有负载条件下,过零时的电感电流都更少失真
  • 通过使用通用二极管代替低频开关来减少材料清单(BOM)
  • 该演示板的主要目标应用包括:服务器,电信和工业电源单元(PSU)
  • 文档包括物料清单(BOM),原理图,电路板布局,应用笔记
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索取样品: 650V SIC MOSFETS
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