基于Cree最新的（C3M™）650 V 60mΩSiC MOSFET, 提供高效、低成本2.2 kW无桥图腾柱PFC拓扑参考设计解决方案

在所有负载条件下，效率均 > 98.5％，THD < 4％，可轻松达到钛标准.

创新的基于电阻的电流检测解决方案

在所有负载条件下，过零时的电感电流都更少失真

通过使用通用二极管代替低频开关来减少材料清单（BOM）

该演示板的主要目标应用包括：服务器，电信和工业电源单元（PSU）

文档包括物料清单（BOM），原理图，电路板布局，应用笔记