シリコンカーバイドの需要は急速に増えており、特に自動車、工業、およびエネルギー関連のアプリケーションで効率改善、優れたパワー密度、システムレベルでのコスト低減、を実現しています。
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SiC MOSFETs

TO-247-3 package
Part Number | Blocking Voltage | RDS(on) | (ID) @ 25°C | Package | Samples |
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C3M0075120D | 1200 V | 75 mΩ | 30 A | TO-247-3 | Request Sample! |
C3M0120090D | 900 V | 120 mΩ | 23 A | TO-247-3 | Request Sample! |

TO-247-4 package
Part Number | Blocking Voltage | RDS(on) | (ID) @ 25°C | Package | Samples |
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C3M0060065K | 650 V | 60 mΩ | 37 A | TO-247-4 | Request Sample! |
C3M0120100K | 1000 V | 120 mΩ | 22 A | TO-247-4 | Request Sample! |

TO-263-7 package
Part Number | Blocking Voltage | RDS(on) | (ID) @ 25°C | Package | Samples |
---|---|---|---|---|---|
C3M0060065J | 650 V | 60 mΩ | 36 A | TO-263-7 | Request Sample! |
C3M0120100J | 1000 V | 120 mΩ | 22 A | TO-263-7 | Request Sample! |
6th Generation SiC Diodes

TO-220-2 package
Part Number | Blocking Voltage | (ID) @ 25°C | Package | Samples |
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C6D04065A | 650 V | 4 A | TO-220-2 | Request Sample! |
C6D06065A | 650 V | 6 A | TO-220-2 | Request Sample! |
C6D08065A | 650 V | 8 A | TO-220-2 | Request Sample! |
C6D10065A | 650 V | 10 A | TO-220-2 | Request Sample! |
C4D05120A | 1200 V | 5 A | TO-220-2 | Request Sample! |
C4D20120A | 1200 V | 20 A | TO-220-2 | Request Sample! |

TO-263-2 package
Part Number | Blocking Voltage | (ID) @ 25°C | Package | Samples |
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C6D04065E | 650 V | 4 A | TO-263-2 | Request Sample! |
C6D06065E | 650 V | 6 A | TO-263-2 | Request Sample! |
C6D08065E | 650 V | 8 A | TO-263-2 | Request Sample! |
C6D10065E | 650 V | 10 A | TO-263-2 | Request Sample! |
E4D20120G (AEC-Q101 Qualified) | 1200 V | 20 A | TO-263-2 | Request Sample! |

TO-247-3 package
Part Number | Blocking Voltage | (ID) @ 25°C | Package | Samples |
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C6D16065D | 650 V | 16 A | TO-247-3 | Request Sample! |
C6D20065D | 650 V | 20 A | TO-247-3 | Request Sample! |
C4D20120D | 1200 V | 32 A | TO-247-3 | Request Sample! |