强大,简单且经济高效的模块和系统布局
可最大限度地提高SiC的性能优势

平台优势

  • 高功率密度
  • 高温(175°C)运行
  • 低电感(6.7 nH)设计
  • 第三代MOSFET技术
  • 初始产品发布:针对低导通损耗和高频运行进行了优化
  • 未来的衍生配置:可实现1.7 kV耐压,跨越多种拓扑

目标应用

  • 电机和牵引传动
  • UPS不间断电源
  • 电动汽车充电器

技术特点

  • 端子布局简化母线设计
  • 集成温度检测
  • 专用漏极开尔文管脚
  • 氮化硅绝缘子和铜基板
型号 阻断电压 电流 (A) Rds (on) (mOhm) Footprint 特徵
CAB450M12XM3 1200 450 2.6 优化XM3 传导优化
第三代MOSFET
CAB425M12XM3 1200 425 3.2 优化XM3 开关损耗优化,
第三代 MOSFET
CAB400M12XM3 1200 400 4.0 优化XM3 开关损耗优化,
第三代 MOSFET
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XM3评估工具和相关产品:

支持快速SiC系统评估
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