强大,简单且经济高效的模块和系统布局
可最大限度地提高SiC的性能优势

平台优势

  • 高功率密度
  • 高温(175°C)运行
  • 低电感(6.7 nH)设计
  • 第三代MOSFET技术
  • 初始产品发布:针对低导通损耗和高频运行进行了优化
  • 未来的衍生配置:可实现1.7 kV耐压,跨越多种拓扑

目标应用

  • 电机和牵引传动
  • UPS不间断电源
  • 电动汽车充电器

技术特点

  • 端子布局简化母线设计
  • 集成温度检测
  • 专用漏极开尔文管脚
  • 氮化硅绝缘子和铜基板
型号 阻断电压 电流 (A) Rds (on) (mOhm) Footprint 特徵
CAB450M12XM3 1200 450 2.6 优化XM3 传导优化
第三代MOSFET
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